図書

輻射熱アクティブ補償エピタキシによる高品質2-6半導体多元混晶の作製

図書を表すアイコン

輻射熱アクティブ補償エピタキシによる高品質2-6半導体多元混晶の作製

国立国会図書館請求記号
Y151-H16360013
国立国会図書館書誌ID
000009569020
資料種別
図書
著者
小林正和, 早稲田大学 [著]
出版者
[小林正和]
出版年
2004-2007
資料形態
ページ数・大きさ等
53枚
NDC
-
すべて見る

資料に関する注記

一般注記:

文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

書店で探す

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
図書
タイトルよみ
フクシャネツ アクティブ ホショウ エピタキシ ニ ヨル コウヒンシツ 2 - 6 ハンドウタイ タゲン コンショウ ノ サクセイ
著者・編者
小林正和, 早稲田大学 [著]
著者標目
小林, 正和 コバヤシ, マサカズ
早稲田大学 ワセダ ダイガク
出版事項
出版年月日等
2004-2007
2008.5
出版年(W3CDTF)
2004
2007
数量
53枚
その他のタイトル
研究種目 基盤研究(B)