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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号111(372)-111(378):2012.1.10-2012.1.20
記事InGaAs MOS...

InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討 (マイクロ波)

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InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討

(マイクロ波)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
023422135
資料種別
記事
著者
宮本 恭幸ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-01
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(374):2012.1.11・12
掲載ページ
p.59-62
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書誌情報

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紙

資料種別
記事
タイトル
InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討
著者・編者
宮本 恭幸
山田 真之
内田 建
シリーズタイトル
マイクロ波
著者標目
宮本 恭幸
山田 真之
内田 建
並列タイトル等
Study of source charging time in InGaAs MOSFET
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
111(374):2012.1.11・12
掲載巻
111
掲載号
374