High-Current Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors on H-Terminated Diamond Surfaces and Their High-Frequency Operation (SELECTED TOPICS IN APPLIED PHYSICS : Diamond Semiconductors : from Materials to Devices)

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High-Current Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors on H-Terminated Diamond Surfaces and Their High-Frequency Operation(SELECTED TOPICS IN APPLIED PHYSICS : Diamond Semiconductors : from Materials to Devices)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
023965962
資料種別
記事
著者
Hiroshi Kawarada
出版者
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版年
2012-09
資料形態
掲載誌名
Japanese journal of applied physics : JJAP 51(9)(1):2012.9
掲載ページ
p.090111-1-6
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Hiroshi Kawarada
著者標目
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
51(9)(1):2012.9
掲載巻
51
掲載号
9
掲載通号
1