単結晶β-Ga₂O₃基板を用いたPt/β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード (電子部品・材料)

単結晶β-Ga₂O₃基板を用いたPt/β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード

(電子部品・材料)

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資料種別: 記事
タイトル: 単結晶β-Ga₂O₃基板を用いたPt/β-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード
著者・編者: 佐々木公平
東脇正高
倉又朗人他
シリーズタイトル: 電子部品・材料
著者標目: 佐々木公平
東脇正高
倉又朗人
並列タイトル等: Pt/β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes Using Single-Crystal β-Ga₂O₃ Substrates
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 112(328):2012.11.29・30
掲載巻: 112
掲載号: 328
掲載ページ: 25-28
掲載年月日（W3CDTF）: 2012-11
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: Ga₂O₃
酸化ガリウム
ショットキーバリアダイオード
ショットキーバリアハイト
Gallium Oxide
Schottky Barrier Diode
Schottky Barrier Height
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: CPM2012-128
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 024150209
http://id.ndl.go.jp/bib/024150209
整理区分コード: 632