SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT (電子デバイス)

SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT

(電子デバイス)

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資料種別: 記事
タイトル: SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT
著者・編者: 小林健悟
吉田智洋
尾辻泰一他
シリーズタイトル: 電子デバイス
著者標目: 小林健悟
吉田智洋
尾辻泰一
並列タイトル等: AlGaN/GaN MIS-Gate HEMTs with SiCN Gate Stacks
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 112(380):2013.1.17・18
掲載巻: 112
掲載号: 380
掲載ページ: 75-78
掲載年月日（W3CDTF）: 2013-01
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: GaN
AlGaN
SiCN
MISゲート
高電子移動度トランジスタ(HEMT)
水素アニール
MIS-Gate
high electron mobility transistor (HEMT)
hydrogen annealing
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2012-126
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 024262989
http://id.ndl.go.jp/bib/024262989
整理区分コード: 632