Physical Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Films Deposited at Different Sputtering Pressures (Special Issue : Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices : TFT Technologies and FPD Materials)

Physical Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Films Deposited at Different Sputtering Pressures

(Special Issue : Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices : TFT Technologies and FPD Materials)

国立国会図書館請求記号: Z53-A375
国立国会図書館書誌ID: 024355401

資料種別: 記事

著者: Satoshi Yasunoほか

出版者: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics

出版年: 2013-03

資料形態: 紙

掲載誌名: Japanese journal of applied physics : JJAP 52(3)(2):2013.3

掲載ページ: p.03BA01-1-5

すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

連携機関・データベースの一覧

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

CiNii Research
検索サービス
連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
この本の所蔵を確認

書誌情報

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

紙

資料種別: 記事
タイトル: Physical Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Films Deposited at Different Sputtering Pressures
著者・編者: Satoshi Yasuno
Takashi Kita
Aya Hino 他
シリーズタイトル: Special Issue : Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices : TFT Technologies and FPD Materials
著者標目: Satoshi Yasuno
Takashi Kita
Aya Hino
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 52(3)(2):2013.3
掲載巻: 52
掲載号: 3
掲載通号: 2
掲載ページ: 03BA01-1-5
掲載年月日（W3CDTF）: 2013-03
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 024355401
http://id.ndl.go.jp/bib/024355401
整理区分コード: 632