キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価 (有機エレクトロニクス)

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キャリア発生層挿入ペンタセン電界効果トランジスタの構造と特性評価

(有機エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024405447
資料種別
記事
著者
薄葉 俊ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2013-03-08
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(469):2013.3.8
掲載ページ
p.9-12
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
薄葉 俊
馬場 暁
新保 一成 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Structure and Characteristics of Pentacene Field-Effect Transistors with Carrier Generation Layer
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
112(469):2013.3.8
掲載巻
112
掲載号
469