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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号113(416)-113(420):2014.1.28-2014.1.29
記事招待講演 MOVPE...

招待講演 MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs (シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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招待講演 MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs

(シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025278537
資料種別
記事
著者
入沢 寿史ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-01-29
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(420):2014.1.29
掲載ページ
p.9-12
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紙

資料種別
記事
タイトル
招待講演 MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
著者・編者
入沢 寿史
小田 穣
池田 圭司 他
シリーズタイトル
シリコン材料・デバイス 先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
著者標目
入沢 寿史
小田 穣
池田 圭司
並列タイトル等
High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Regrowth
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
113(420):2014.1.29
掲載巻
113
掲載号
420