招待講演強い短チャネル効果耐性と闇値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET (シリコン材料・デバイス先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

招待講演強い短チャネル効果耐性と闇値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET

(シリコン材料・デバイス先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

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資料種別: 記事
タイトル: 招待講演強い短チャネル効果耐性と闇値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET
著者・編者: 金相賢
横山正史
中根了昌他
シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)
著者標目: 金相賢
横山正史
中根了昌
並列タイトル等: High Performance Sub-20-nm-Channel-Length Extremely-Thin Body InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFETs with High Short Channel Effect Immunity and Vth Tunability
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 113(420):2014.1.29
掲載巻: 113
掲載号: 420
掲載ページ: 39-42
掲載年月日（W3CDTF）: 2014-01-29
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: InAs-OI MOSFETs
Tri-gate
Vth tunability
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: SDM2013-144
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 025278793
http://id.ndl.go.jp/bib/025278793
整理区分コード: 632