フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成 (シリコン材料・デバイス)

記事を表すアイコン

フレキシブルエレクトロニクス創成に向けた金誘起層交換成長法による擬似単結晶Ge/プラスチックの形成

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
025447340
資料種別
記事
著者
朴 鍾爀ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2014-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(1):2014.4.10・11
掲載ページ
p.17-20
すべて見る

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
朴 鍾爀
宮尾 正信
佐道 泰造
シリーズタイトル
並列タイトル等
Formation of quasi-single crystal Ge on plastic by Au-induced layer-exchange growth
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
114(1):2014.4.10・11
掲載巻
114
掲載号
1