ペロブスカイト酸化物...

ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構 (第33回表面科学学術講演会特集号(1))

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ペロブスカイト酸化物への水素イオン導入によって誘起される抵抗スイッチング効果の発現機構

(第33回表面科学学術講演会特集号(1))

国立国会図書館請求記号
Z15-379
国立国会図書館書誌ID
025638736
資料種別
記事
著者
花田 明紘ほか
出版者
東京 : 日本表面科学会
出版年
2014-07
資料形態
掲載誌名
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編 35(7):2014.7
掲載ページ
p.356-360
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
花田 明紘
三浦 寛基
野津 武志 他
並列タイトル等
Generation Mechanism of Resistive Switching Effect Induced by Introduction of Hydrogen Ions into Perovskite-Type Oxide
タイトル(掲載誌)
表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
35(7):2014.7
掲載巻
35
掲載号
7