表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 (電子デバイス)

表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御

(電子デバイス)

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資料種別: 記事
タイトル: 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御
著者・編者: 浦上法之
山根啓輔
関口寛人他
シリーズタイトル: 電子デバイス
著者標目: 浦上法之
山根啓輔
関口寛人
並列タイトル等: Control of N composition of GaAsN alloy grown by surface nitridation
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 115(63):2015.5.28・29
掲載巻: 115
掲載号: 63
掲載ページ: 21-26
掲載年月日（W3CDTF）: 2015-05
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 表面窒化
δドーピング
希薄窒化物半導体
Ⅲ-Ⅴ-N混晶
Surface Nitridation
δ doping
Dilute nitride
Ⅲ-Ⅴ-N alloy
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ED2015-20
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 026492241
http://id.ndl.go.jp/bib/026492241
整理区分コード: 632