不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM (集積回路)

不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM

(集積回路)

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資料種別: 記事
タイトル: 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
著者・編者: 水谷朋子
竹内潔
更屋拓哉
篠原尋史
小林正治
平本俊郎
シリーズタイトル: 集積回路
著者標目: 水谷朋子
竹内潔
更屋拓哉
篠原尋史
小林正治
平本俊郎
並列タイトル等: Parallel Programming of Non-volatile Power-up States of SRAM
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 117(167):2017.7.31-8.2
掲載巻: 117
掲載号: 167
掲載ページ: 49-54
掲載年月日（W3CDTF）: 2017
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: 不揮発性メモリ
ワンタイム・プログラマブル・メモリ
CMOS
SRAM
non-volatile memory
one-time programmable memory
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: ICD2017-26
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 028441777
http://id.ndl.go.jp/bib/028441777
整理区分コード: 632