Effects of Si layer thickness on solid-phase crystallization of stacked Ge/Si/SiO2 structures (Special issue: Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and FPD materials)

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Effects of Si layer thickness on solid-phase crystallization of stacked Ge/Si/SiO2 structures(Special issue: Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and FPD materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
10191531
資料種別
記事
著者
Taizoh Sadohほか
出版者
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版年
2009-03
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics : JJAP 48(3) (3) 2009.3
掲載ページ
p.03B004-1~3
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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Taizoh Sadoh
Hiroki Ohta
Masanobu Miyao
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
48(3) (3) 2009.3
掲載巻
48
掲載号
3
その他巻次
3