アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長 (有機エレクトロニクス)

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アルミニウム誘起層交換法によるSiGe/ガラスの低温成長

(有機エレクトロニクス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
10220867
資料種別
記事
著者
黒澤 昌志ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2009-04-24
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 109(20) 2009.4.24
掲載ページ
p.19~23
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
黒澤 昌志
川畑 直之
佐道 泰造 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Low-temperature growth of silicon-germanium on glass by aluminum induced layer exchange
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
109(20) 2009.4.24
掲載巻
109
掲載号
20