Formation of defect-free Ge island on insulator by Ni-imprint induced Si micro-seeding rapid melting (シリコン材料・デバイス)

Formation of defect-free Ge island on insulator by Ni-imprint induced Si micro-seeding rapid melting

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号: Z16-940
国立国会図書館書誌ID: 10668394

資料種別: 記事

著者: 坂根尭ほか

出版者: 東京 : 電子情報通信学会

出版年: 2010-04-23

資料形態: 紙

掲載誌名: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 110(15) 2010.4.23

掲載ページ: p.53～57

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書誌情報

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紙

資料種別: 記事
タイトル: Formation of defect-free Ge island on insulator by Ni-imprint induced Si micro-seeding rapid melting
著者・編者: 坂根尭
都甲薫
田中貴規他
シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
著者標目: 坂根尭
都甲薫
田中貴規
並列タイトル等: インプリントSi種結晶からの溶融エピタキシャル成長による単結晶GOIの無欠陥形成
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 110(15) 2010.4.23
掲載巻: 110
掲載号: 15
掲載ページ: 53～57
掲載年月日（W3CDTF）: 2010-04-23
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: SiGeミキシング誘起溶融成長
金属誘起固相成長
ゲルマニウム(Ge)デバイス
Germanium
Ge
Ge on Insulator
GOI
Metal Induced Crystallization
MIC
Liquid-Phase Epitaxial Growth
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: SDM2010-12
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10668394
http://id.ndl.go.jp/bib/10668394
整理区分コード: 632