Extremely low on-resistance and high breakdown voltage observed in vertical GaN Schottky barrier diodes with high-mobility drift layers on low-dislocation-density GaN substrates

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資料種別: 記事
タイトル: Extremely low on-resistance and high breakdown voltage observed in vertical GaN Schottky barrier diodes with high-mobility drift layers on low-dislocation-density GaN substrates
著者・編者: Yu Saitoh
Kazuhide Sumiyoshi
Masaya Okada 他
著者標目: Yu Saitoh
Kazuhide Sumiyoshi
Masaya Okada
タイトル（掲載誌）: Applied physics express : APEX
巻号年月日等（掲載誌）: 3(8) 2010.8
掲載巻: 3
掲載号: 8
掲載ページ: 081001-1～3
掲載年月日（W3CDTF）: 2010-08
ISSN（掲載誌）: 1882-0778
ISSN-L（掲載誌）: 1882-0778
出版事項（掲載誌）: Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z78-A526
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10793587
http://id.ndl.go.jp/bib/10793587
整理区分コード: 632