Band structure dependence of electron mobility in modulation-doped lattice-matched InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures

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Band structure dependence of electron mobility in modulation-doped lattice-matched InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
10793689
資料種別
記事
著者
Il-Ho Ahnほか
出版者
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版年
2010-08
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics : JJAP 49(8) (1) 2010.8
掲載ページ
p.084303-1~4
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資料詳細

要約等:

<jats:p> Variable-magnetic-field Hall measurements were performed on modulation-doped In<jats:sub>0.52</jats:sub>Al<jats:sub>0.48</jats:sub>As/In<...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Il-Ho Ahn
Hodoug Joung
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
49(8) (1) 2010.8
掲載巻
49
掲載号
8
その他巻次
1
掲載ページ
084303-1~4