3族窒化物/SiCヘテロ界面を用いたワイドギャップ半導体デバイス (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)
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CiNii Research
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 須田 淳三宅 裕樹木本 恒暢
- シリーズタイトル
- 並列タイトル等
- Wide-bandgap semiconductor devices using group-3 nitride/SiC heterointerface
- タイトル（掲載誌）
- 表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 31(12) 2010.12
- 掲載巻
- 31
- 掲載号
- 12