InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作 (光エレクトロニクス)

InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作

(光エレクトロニクス)

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資料種別: 記事
タイトル: InP/InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作
著者・編者: 名田允洋
村本好史
横山春喜他
シリーズタイトル: 光エレクトロニクス
著者標目: 名田允洋
村本好史
横山春喜
並列タイトル等: High-gain operation of avalanche photodiode with InP/InGaAs new structures
タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）: 110(395) 2011.1.27・28
掲載巻: 110
掲載号: 395
掲載ページ: 103～106
掲載年月日（W3CDTF）: 2011-01
ISSN（掲載誌）: 0913-5685
ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
件名標目: アバランシェフォトダイオード
ガードリングフリー
メサ構造
高増倍率動作
Avalanche photodiode
guard-ring free
mesa structure
high-gain operation
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
レポート番号（雑誌記事）: OPE2010-157
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z16-940
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 10970822
http://id.ndl.go.jp/bib/10970822
整理区分コード: 632