Application of thermal plasma jet irradiation to crystallization and gate insulator improvement for high-performance thin-film transistor fabrication (Special issue: Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and FPD materials)

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Application of thermal plasma jet irradiation to crystallization and gate insulator improvement for high-performance thin-film transistor fabrication

(Special issue: Active-matrix flatpanel displays and devices: TFT technologies and FPD materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
11054276
資料種別
記事
著者
Seiichiro Higashiほか
出版者
Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版年
2011-03
資料形態
掲載誌名
Japanese journal of applied physics : JJAP 50(3) (2) 2011.3
掲載ページ
p.03CB10-1~8
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
Seiichiro Higashi
Shohei Hayashi
Yasuo Hiroshige 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
50(3) (2) 2011.3
掲載巻
50
掲載号
3
その他巻次
2