Heterojunction diodes comprised of n-type silicon and p-type ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- Shinya OhmagariSausan Al-RiyamiTsuyoshi Yoshitake
- タイトル（掲載誌）
- Japanese journal of applied physics : JJAP
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 50(3) (1) 2011.3
- 掲載巻
- 50
- 掲載号
- 3
- その他巻次
- 1
- 掲載ページ
- 035101-1～3