24nmプロセスで製造された151mm[2]64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発 (集積回路)

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24nmプロセスで製造された151mm[2]64Gbit 2bit/cell NAND型フラッシュメモリの開発

(集積回路)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
11069478
資料種別
記事
著者
福田 浩一ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2011-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(6) 2011.4.18・19
掲載ページ
p.19~26
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
福田 浩一
渡辺 慶久
牧野 英一 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
A 151mm[2] 64Gbit 2bit/cell NAND flash memory fabricated in 24nm technology
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
111(6) 2011.4.18・19
掲載巻
111
掲載号
6