Impact of reducing shallow trench isolation mechanical stress on active length for 40nm n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (Special issue: Solid state devices and materials)

Impact of reducing shallow trench isolation mechanical stress on active length for 40nm n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

(Special issue: Solid state devices and materials)

国立国会図書館請求記号: Z53-A375
国立国会図書館書誌ID: 11075786

資料種別: 記事

著者: Yao-Tsung Huangほか

出版者: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics

出版年: 2011-04

資料形態: 紙

掲載誌名: Japanese journal of applied physics : JJAP 50(4) (2) 2011.4

掲載ページ: p.04DC21-1～3

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紙

資料種別: 記事
タイトル: Impact of reducing shallow trench isolation mechanical stress on active length for 40nm n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
著者・編者: Yao-Tsung Huang
San-Lein Wu
Hau-Yu Lin 他
シリーズタイトル: Special issue: Solid state devices and materials
著者標目: Yao-Tsung Huang
San-Lein Wu
Hau-Yu Lin
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 50(4) (2) 2011.4
掲載巻: 50
掲載号: 4
その他巻次: 2
掲載ページ: 04DC21-1～3
掲載年月日（W3CDTF）: 2011-04
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 11075786
http://id.ndl.go.jp/bib/11075786
整理区分コード: 632