GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果 (電子デバイス)

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GaAs(001)上のAlNスパッタ堆積およびAl2O3原子層堆積における表面前処理の効果

(電子デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
11200178
資料種別
記事
著者
工藤 昌宏ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2011-07
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(167) 2011.7.29・30
掲載ページ
p.25~30
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
工藤 昌宏
Hong-An Shih
赤堀 誠志 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Effects of surface pre-treatments for AlN sputtering and Al2O3 atomic layer depositions on GaAs(001)
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
111(167) 2011.7.29・30
掲載巻
111
掲載号
167