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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 36(3B)(457);MARCH 1997
記事GaInAs/AlG...

GaInAs/AlGaInAs Semiconductor Lasers with AlAs Oxide Current Confinement Structure (Solid State Devices and Materials)

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CiNii Research

GaInAs/AlGaInAs Semiconductor Lasers with AlAs Oxide Current Confinement Structure(Solid State Devices and Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
4196737
資料種別
記事
著者
Noriyuki Ohnokiほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
1997-03
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 36(3B) 1997.03
掲載ページ
p.1896～1899
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資料詳細

要約等：

An AlAs oxide current confinement structure based on an InP substrate has been demonstrated for the first time to realize low threshold long wavelengt...

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
GaInAs/AlGaInAs Semiconductor Lasers with AlAs Oxide Current Confinement Structure
著者・編者
Noriyuki Ohnoki
Nobuaki Hatori
Akimasa Mizutani 他
シリーズタイトル
Solid State Devices and Materials
著者標目
Noriyuki Ohnoki
Nobuaki Hatori
Akimasa Mizutani
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
36(3B) 1997.03
掲載巻
36
掲載号
3B
掲載ページ
1896～1899