炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

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炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム

(ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

国立国会図書館請求記号
Z16-1852
国立国会図書館書誌ID
4392169
資料種別
記事
著者
吉川 正人ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会エレクトロニクス ソサイエティ
出版年
1998-01
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編 81(1) 1998.01
掲載ページ
p.140~150
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資料種別
記事
著者・編者
吉川 正人
大島 武
伊藤 久義 他
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会論文誌. C-2, エレクトロニクス. 2, 電子素子・応用 = The Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2 / 電子情報通信学会 編
巻号年月日等(掲載誌)
81(1) 1998.01
掲載巻
81
掲載号
1
掲載ページ
140~150