Thin CoSi2 Formation on SiO2 with Low-Energy Ion Irradiation

国立国会図書館請求記号: Z53-A375
国立国会図書館書誌ID: 4621650

資料種別: 記事

著者: Atsushi Matsushitaほか

出版者: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

出版年: 1998-11

資料形態: デジタル

掲載誌名: Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 37(11) 1998.11

掲載ページ: p.6117～6122

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資料詳細

要約等：: Cobalt silicides were formed by heat treatment and ion irradiation for stacked 7 nm Co and 25 nm Si layers on 20 nm SiO<SUB>2</SUB> films. Irradiation...

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デジタル

資料種別: 記事
タイトル: Thin CoSi2 Formation on SiO2 with Low-Energy Ion Irradiation
著者・編者: Atsushi Matsushita
Taizoh Sadoh
Toshio Tsurushima
著者標目: Atsushi Matsushita
Taizoh Sadoh
Toshio Tsurushima
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 37(11) 1998.11
掲載巻: 37
掲載号: 11
掲載ページ: 6117～6122
掲載年月日（W3CDTF）: 1998-11
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
遠隔複写可否（NDL）: 可
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11226577
https://dl.ndl.go.jp/pid/11226577
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 4621650
http://id.ndl.go.jp/bib/4621650
整理区分コード: 632