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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 39(1)(512);2000・1
記事Low-Temper...

Low-Temperature Growth of Si Oxide with Good Electrical Qualities Using Helicon-Wave-Excited O2-Ar Plasma and Forming Gas Annealing

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CiNii Research

Low-Temperature Growth of Si Oxide with Good Electrical Qualities Using Helicon-Wave-Excited O2-Ar Plasma and Forming Gas Annealing

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
4974720
資料種別
記事
著者
Tatsuaki Tsukudaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2000-01
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 39(1) (通号 512) 2000.01
掲載ページ
p.8～13
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資料詳細

要約等：

P-type Si(100) substrate was oxidized using helicon-wave-excited O<FONT SIZE="-1"><SUB>2</SUB></FONT>–Ar plasma at low temperatures. Post–thermal anne...

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
Low-Temperature Growth of Si Oxide with Good Electrical Qualities Using Helicon-Wave-Excited O2-Ar Plasma and Forming Gas Annealing
著者・編者
Tatsuaki Tsukuda
Hideaki Ikoma
著者標目
Tatsuaki Tsukuda
Hideaki Ikoma
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
39(1) (通号 512) 2000.01
掲載巻
39
掲載号
1
掲載通号
512
掲載ページ
8～13