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解説 電流磁場印加引上げ法(EMCZ)によるシリコン単結晶中の酸素濃度制御 (小特集 シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)

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解説 電流磁場印加引上げ法(EMCZ)によるシリコン単結晶中の酸素濃度制御(小特集 シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)

国立国会図書館請求記号
Z15-339
国立国会図書館書誌ID
4977445
資料種別
記事
著者
渡辺 匡人ほか
出版者
大阪 : 日本結晶成長学会
出版年
1999
資料形態
掲載誌名
日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 26(5) 1999
掲載ページ
p.235~241
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
渡辺 匡人
江口 実
王 偉 他
タイトル(掲載誌)
日本結晶成長学会誌 = Journal of the Japanese Association for Crystal Growth
巻号年月日等(掲載誌)
26(5) 1999
掲載巻
26
掲載号
5
掲載ページ
235~241