Amorphous-to-Polycrystalline Silicon Transition in Hot Wire Cell Method

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Amorphous-to-Polycrystalline Silicon Transition in Hot Wire Cell Method

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
5501341
資料種別
記事
著者
Mitsuru Ichikawaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2000-08
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 39(8) (通号 525) 2000.8
掲載ページ
p.4712~4715
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資料詳細

要約等:

Hot Wire Cell method has been newly developed and successfully applied to grow polycrystalline silicon films at a low temperature with a relatively hi...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Mitsuru Ichikawa
Takeshi Tsushima
Akira Yamada 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
39(8) (通号 525) 2000.8
掲載巻
39
掲載号
8
掲載通号
525
掲載ページ
4712~4715