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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 39(11)(529);2000・11
記事Oxygen-Rel...

Oxygen-Related Defects Introduced by As〔+〕-Implantation through Cap Layers in Si Probed by Monoenergetic Positron Beams

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CiNii Research

Oxygen-Related Defects Introduced by As〔+〕-Implantation through Cap Layers in Si Probed by Monoenergetic Positron Beams

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
5575087
資料種別
記事
著者
Akira Uedonoほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2000-11
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 39(11) (通号 529) 2000.11
掲載ページ
p.6126～6129
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資料詳細

要約等：

The depth distributions and species of defects in 50 keV As<FONT SIZE="-1"><SUP>+</SUP></FONT>-implanted Si with a cap layer (SiO<FONT SIZE="-1"><SUB>...

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
Oxygen-Related Defects Introduced by As〔+〕-Implantation through Cap Layers in Si Probed by Monoenergetic Positron Beams
著者・編者
Akira Uedono
Makoto Muramatsu
Tomohiro Ubukata 他
著者標目
Akira Uedono
Makoto Muramatsu
Tomohiro Ubukata
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
39(11) (通号 529) 2000.11
掲載巻
39
掲載号
11
掲載通号
529
掲載ページ
6126～6129