水素終端ダイヤモンド表面伝導層を利用した高性能電界効果トランジスタ (特集 ワイドギャップ半導体)

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水素終端ダイヤモンド表面伝導層を利用した高性能電界効果トランジスタ(特集 ワイドギャップ半導体)

国立国会図書館請求記号
Z16-795
国立国会図書館書誌ID
6025753
資料種別
記事
著者
梅沢 仁ほか
出版者
東京 : 電気学会
出版年
2002-01
資料形態
掲載誌名
電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems 122(1) 2002.1
掲載ページ
p.10~16
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
梅沢 仁
谷内 寛直
有馬 拓也 他
タイトル(掲載誌)
電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = IEEJ transactions on electronics, information and systems
巻号年月日等(掲載誌)
122(1) 2002.1
掲載巻
122
掲載号
1
掲載ページ
10~16