Metalorganic Molecular-Beam Epitaxial Growth and Optical Properties of Er-Doped GaNP (Special Issue: Indium Phosphide and Related Materials)

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Metalorganic Molecular-Beam Epitaxial Growth and Optical Properties of Er-Doped GaNP(Special Issue: Indium Phosphide and Related Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6098713
資料種別
記事
著者
Ikuo Suemuneほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2002-02
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 41(2B) (通号 552) (Special Issue) 2002.2
掲載ページ
p.1030~1033
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資料詳細

要約等:

Erbium (Er) doping in GaNP during growth by metalorganic molecular-beam epitaxy was studied. Nitrogen (N) doping in GaP was possible up to ∼ 2% and ex...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Ikuo Suemune
Togo Shimozawa
Katsuhiro Uesugi 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
41(2B) (通号 552) (Special Issue) 2002.2
掲載巻
41
掲載号
2B
掲載通号
552