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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 41(11B)(567);NOVEMBER 2002
記事Metalorgan...

Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Thin Film ZrO2 and Pb(Zr,Ti)O3: Precursor Chemistry and Process Characteristics (Special Issue Ferroelectric Materials and Their Applications)

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CiNii Research

Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Thin Film ZrO2 and Pb(Zr,Ti)O3: Precursor Chemistry and Process Characteristics(Special Issue Ferroelectric Materials and Their Applications)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6370750
資料種別
記事
著者
Ing-Shin Chenほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2002-11
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 41(11B) (通号 567) (Special Issue) 2002.11
掲載ページ
p.6695～6700
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資料詳細

要約等：

Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) process characteristics of several zirconium source reagents were investigated. These source reagents i...

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
Metalorganic Chemical Vapor Deposition of Thin Film ZrO2 and Pb(Zr,Ti)O3: Precursor Chemistry and Process Characteristics
著者・編者
Ing-Shin Chen
Bryan C. Hendrix
Steven M. Bilodeau 他
シリーズタイトル
Special Issue Ferroelectric Materials and Their Applications
著者標目
Ing-Shin Chen
Bryan C. Hendrix
Steven M. Bilodeau
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
41(11B) (通号 567) (Special Issue) 2002.11
掲載巻
41
掲載号
11B
掲載通号
567