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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 42(4B)(574);APRIL 2003
記事Dose-Depen...

Dose-Dependent Etching Selectivity in SiO2 by Focused Ion Beam (Special Issue: Solid State Devices & Materials)

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CiNii Research

Dose-Dependent Etching Selectivity in SiO2 by Focused Ion Beam(Special Issue: Solid State Devices & Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6522973
資料種別
記事
著者
Taizoh Sadohほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2003-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 42(4B) (通号 574) (Special Issue) 2003.4
掲載ページ
p.1855～1858
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資料詳細

要約等：

The dose-dependent etching characteristics of SiO<SUB>2</SUB> films irradiated with 40 keV Si<SUP>2+</SUP> focused ion beams (FIBs) were comprehensive...

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
Dose-Dependent Etching Selectivity in SiO2 by Focused Ion Beam
著者・編者
Taizoh Sadoh
Hiroomi Eguchi
Atsushi Kenjo 他
シリーズタイトル
Special Issue: Solid State Devices & Materials
著者標目
Taizoh Sadoh
Hiroomi Eguchi
Atsushi Kenjo
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
42(4B) (通号 574) (Special Issue) 2003.4
掲載巻
42
掲載号
4B
掲載通号
574