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雑誌Japanese journal of applied physics Part. 1 Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号Part. 1 Part. 1 43(4B)(591);APRIL 2004
記事Nucleation...

Nucleation Control in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO2 by Local Ge Insertion (Special Issue: Solid State Devices and Materials)

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CiNii Research

Nucleation Control in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO2 by Local Ge Insertion(Special Issue: Solid State Devices and Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
6938840
資料種別
記事
著者
Isao Tsunodaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2004-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 43(4B) (通号 591) (Special Issue) 2004.4
掲載ページ
p.1901～1904
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資料詳細

要約等：

The effects of local Ge insertion on the solid-phase crystallization (SPC) of a-Si films have been investigated. Three types of stacked structures, i....

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デジタル

資料種別
記事
タイトル
Nucleation Control in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO2 by Local Ge Insertion
著者・編者
Isao Tsunoda
Kei Nagatomo
Atsushi Kenjo 他
シリーズタイトル
Special Issue: Solid State Devices and Materials
著者標目
Isao Tsunoda
Kei Nagatomo
Atsushi Kenjo
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）
43(4B) (通号 591) (Special Issue) 2004.4
掲載巻
43
掲載号
4B
掲載通号
591