Improvement of Oxidation-Induced Ge Condensation Method by H〔+〕 Implantation and Two-Step Annealing for Highly Stress-Relaxed SiGe-on-Insulator (Special Issue: Solid State Devices & Materials)

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Improvement of Oxidation-Induced Ge Condensation Method by H〔+〕 Implantation and Two-Step Annealing for Highly Stress-Relaxed SiGe-on-Insulator(Special Issue: Solid State Devices & Materials)

国立国会図書館請求記号: Z53-A375
国立国会図書館書誌ID: 7306377

資料種別: 記事

著者: Taizoh Sadohほか

出版者: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics

出版年: 2005-04

資料形態: デジタル

掲載誌名: Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 44(4B) (通号 611) (Special Issue) 2005.4

掲載ページ: p.2357～2360

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資料詳細

要約等：: The effects of the H+ implantation (8.1 keV and 0–5×1016 cm−2) and two-step annealing (1st: 500°C for 30 min, 2nd: 85...

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書誌情報

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デジタル

資料種別: 記事
タイトル: Improvement of Oxidation-Induced Ge Condensation Method by H〔+〕 Implantation and Two-Step Annealing for Highly Stress-Relaxed SiGe-on-Insulator
著者・編者: Taizoh Sadoh
Ryo Matsuura
Masaharu Ninomiya 他
シリーズタイトル: Special Issue: Solid State Devices & Materials
著者標目: Taizoh Sadoh
Ryo Matsuura
Masaharu Ninomiya
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 44(4B) (通号 611) (Special Issue) 2005.4
掲載巻: 44
掲載号: 4B
掲載通号: 611
その他巻次: Special Issue
掲載ページ: 2357～2360
掲載年月日（W3CDTF）: 2005-04
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: strained Si
SGOI
MOSFET
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
遠隔複写可否（NDL）: 可
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11226684
https://dl.ndl.go.jp/pid/11226684
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 7306377
http://id.ndl.go.jp/bib/7306377
整理区分コード: 632