Influence of k・p Formalisms on the Band Structure of InxGa1-xAs1-yNy/GaAs Quantum Well: A Comparison of 8-Band and 10-Band Models

掲載誌名: Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 44(20-23) (通号 429) 2005

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資料種別: 記事
タイトル: Influence of k・p Formalisms on the Band Structure of InxGa1-xAs1-yNy/GaAs Quantum Well: A Comparison of 8-Band and 10-Band Models
著者・編者: Say Tyam Ng
Wei Jun Fan
Yu Xing Dang 他
著者標目: Say Tyam Ng
Wei Jun Fan
Yu Xing Dang
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
巻号年月日等（掲載誌）: 44(20-23) (通号 429) 2005
掲載巻: 44
掲載号: 20-23
掲載通号: 429
掲載ページ: L658～661
掲載年月日（W3CDTF）: 2005
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: 10-band k p method
8-band k p method
InGaAsN
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z54-J337
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 7339213
http://id.ndl.go.jp/bib/7339213
整理区分コード: 632