超高密度・極微細シリコンナノドットの形成技術とメモリ特性 (特集1 次世代不揮発メモリーの開発・高集積化とその市場)
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 財満 鎭明内藤 慎哉近藤 博基 他
- シリーズタイトル
- タイトル（掲載誌）
- Material stage / 技術情報協会 編
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 5(3) (通号 51) 2005.6
- 掲載巻
- 5
- 掲載号
- 3
- 掲載通号
- 51