Reliability and Memory Characteristics of Sequential Laterally Solidified Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors with an Oxide-Nitride-Oxide Stack Gate Dielectric (Special Issue: Solid State Devices & Materials)

記事を表すアイコン

Reliability and Memory Characteristics of Sequential Laterally Solidified Low Temperature Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors with an Oxide-Nitride-Oxide Stack Gate Dielectric(Special Issue: Solid State Devices & Materials)

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
7894876
資料種別
記事
著者
Szu-I Hsiehほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2006-04
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 45(4B) (通号 631) (Special Issue) 2006.4
掲載ページ
p.3154~3158
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Szu-I Hsieh
Hung-Tse Chen
Yu-Cheng Chen 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
45(4B) (通号 631) (Special Issue) 2006.4
掲載巻
45
掲載号
4B
掲載通号
631