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High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGa1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-Type GaN Gate Contact

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High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGa1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-Type GaN Gate Contact

国立国会図書館請求記号
Z54-J337
国立国会図書館書誌ID
8519967
資料種別
記事
著者
Takahiro Fujiiほか
出版者
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
出版年
2006-10
資料形態
紙
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 45(37-41) (通号 446) 2006.10
掲載ページ
p.L1048～1050
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紙

資料種別
記事
タイトル
High On/Off Ratio in Enhancement-Mode AlxGa1-xN/GaN Junction Heterostructure Field-Effect Transistors with P-Type GaN Gate Contact
著者・編者
Takahiro Fujii
Norio Tsuyukuchi
Motoaki Iwaya 他
著者標目
Takahiro Fujii
Norio Tsuyukuchi
Motoaki Iwaya
タイトル（掲載誌）
Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
巻号年月日等（掲載誌）
45(37-41) (通号 446) 2006.10
掲載巻
45
掲載号
37-41
掲載通号
446
掲載ページ
L1048～1050