積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減 (シリコン材料・デバイス)

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積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
8896089
資料種別
記事
著者
三浦 勝哉ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2007-08
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(194) 2007.8.23・24
掲載ページ
p.135~138
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
三浦 勝哉
河原 尊之
竹村 理一郎 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with a synthetic ferrimagnetic free layer for suppressing read disturbance and write-current dispersion
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
107(194) 2007.8.23・24
掲載巻
107
掲載号
194