90-nm CMOS技術による多段階読出し方式を用いた128-Kbit,16ポートSRAMの設計 (シリコン材料・デバイス)

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90-nm CMOS技術による多段階読出し方式を用いた128-Kbit,16ポートSRAMの設計

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
8896141
資料種別
記事
著者
上口 光ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2007-08
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(194) 2007.8.23・24
掲載ページ
p.149~154
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
上口 光
椋田 祐也
和泉 伸也 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
A 128-Kbit, 16-port SRAM design with multi-stage-sensing scheme in 90-nm CMOS technology
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
107(194) 2007.8.23・24
掲載巻
107
掲載号
194