高濃度リン添加ダイヤモンドからの電子放出の真空熱処理温度依存性 (電子デバイス)

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高濃度リン添加ダイヤモンドからの電子放出の真空熱処理温度依存性

(電子デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
8896212
資料種別
記事
著者
山田 貴壽ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2007-08-03
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 107(177) 2007.8.3
掲載ページ
p.33~36
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
山田 貴壽
Kumaragurubaran Somu
Christoph E. Nebel 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Vacuum annealing temperature dependence on field emission from heavily phosphorus-doped diamond
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
107(177) 2007.8.3
掲載巻
107
掲載号
177