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促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製 (レーザ・量子エレクトロニクス)

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促進障壁層構造を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの作製

(レーザ・量子エレクトロニクス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
023343825
Material type
記事
Author
前田 就彦ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2011-11
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(292):2011.11.17・18
Publication Page
p.49-54
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
前田 就彦
廣木 正伸
佐々木 智 他
Alternative Title
Fabrication of AlGaN/GaN E-mode HFETs with Enhanced Barrier Structures
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
111(292):2011.11.17・18
Volume
111
Issue
292