SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析 (シリコン材料・デバイス)

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SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析

(シリコン材料・デバイス)

Call No. (NDL)
Z16-940
Bibliographic ID of National Diet Library
023493836
Material type
記事
Author
村松 徹ほか
Publisher
東京 : 電子情報通信学会
Publication date
2012-02
Material Format
Paper
Journal name
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 111(426):2012.2.7・8
Publication Page
p.89-93
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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
記事
Author/Editor
村松 徹
葛西 誠也
谷田部 然治
Alternative Title
Characterization and Analysis of Low-Frequency Noise in SiN Insulator-Gate GaAs Etched Nanowire FETs
Periodical title
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
No. or year of volume/issue
111(426):2012.2.7・8
Volume
111
Issue
426