バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 : 薄膜中の局所欠陥制御 (シリコン材料・デバイス)

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バイオナノプロセスを用いたフィラメント制御および抵抗変化メモリにおける効果 : 薄膜中の局所欠陥制御

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
023619834
資料種別
記事
著者
上沼 睦典ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(18):2012.4.27・28
掲載ページ
p.15-20
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
上沼 睦典
番 貴彦
鄭 彬 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Effects of Guided Filament Formation in NiO-ReRAM Utilizing Bio Nano Process : Control of defects in thin films
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
112(18):2012.4.27・28
掲載巻
112
掲載号
18