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雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号
112(93)-112(104):2012.6.21-2012.6.23
記事
GaAs基板上1.3...
GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作 (光エレクトロニクス)
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GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作
(光エレクトロニクス)
国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
023810870
資料種別
記事
著者
荒井 昌和ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2012-06-22
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 112(98):2012.6.22
掲載ページ
p.9-12
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書誌情報
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書誌情報を出力
紙
資料種別
記事
タイトル
GaAs基板上1.3μm帯メタモルフィックレーザによる20Gbit/s直接変調動作
著者・編者
荒井 昌和
金澤 慈
田所 貴志 他
シリーズタイトル
光エレクトロニクス
著者標目
荒井 昌和
金澤 慈
田所 貴志
並列タイトル等
Demonstration on 20 Gbit/s Direct Modulation of 1.3-μm-Range Metamorphic Laser
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
112(98):2012.6.22
掲載巻
112
掲載号
98
掲載ページ
9-12
掲載年月日(W3CDTF)
2012-06-22
ISSN(掲載誌)
0913-5685
ISSN-L(掲載誌)
0913-5685
出版事項(掲載誌)
東京 : 電子情報通信学会
出版地(国名コード)
JP
本文の言語コード
jpn
件名標目
半導体レーザ
温度特性
メタモルフィック
Semiconductor laser
Temperature characteristics
Metamorphic
NDLC
ZN33
対象利用者
一般
レポート番号(雑誌記事)
OPE2012-11
所蔵機関
国立国会図書館
請求記号
Z16-940
連携機関・データベース
国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID(NDLBibID)
023810870
http://id.ndl.go.jp/bib/023810870
整理区分コード
632
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