放電プラズマ中ラジカル照射による低侵襲遺伝子導入法の開発 (シリコン材料・デバイス)

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放電プラズマ中ラジカル照射による低侵襲遺伝子導入法の開発

(シリコン材料・デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
024467255
資料種別
記事
著者
金子 俊郎ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2013-04
資料形態
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(17):2013.4.25・26
掲載ページ
p.75-79
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書誌情報

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資料種別
記事
著者・編者
金子 俊郎
佐々木 渉太
小西 秀明 他
シリーズタイトル
並列タイトル等
Development of Minimally Invasive Gene Transfection Using Irradiation of Radicals in Discharge Plasmas
タイトル(掲載誌)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等(掲載誌)
113(17):2013.4.25・26
掲載巻
113
掲載号
17